球差校正透射电镜测试(磁性)

球差校正透射电镜测试(磁性)—自营

¥3,500.00

  • 型号: 日本电子JEM-ARM200F
  • 商品库存: 有现货
  • 销量: 2

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球差校正透射电镜测试

测试样例

1)    样例1 2)    样例1

面向学科

化学、材料等相关学科

样品要求

1)    粉体需5mg左右,块体样品,样品大小为直径3mm的圆,厚度100nm以下; 2)    粉末和液体样品,样品需均匀分散在支撑膜上并且干燥; 3)    所有的样品拍摄之前需要自己用高分辨TEM预观察,确保样品制备成功; 4)    磁性样品指:Fe,Co,Ni,Mn元素或者磁铁可以有响应的材料; 5)    低熔点、易分解、磁性、毒性、放射性的样品不可测。

制样要求

1)    载网:粉末样品需要使用进口超薄碳膜、进口超薄微栅、进口超薄金膜(含铜的样品,且需要做EDS或EELS测试)、国产标记微栅(需要检测特定的颗粒)。 2)    样品分散:用户需要把样品研磨后,滴到载网上,研磨方法是加入酒精后,在研钵中湿磨,研磨分散效果比超声分散效果要好一些,要想分散得好,可以适当延长研磨时间。 3)    制样浓度:特别强调,样品制样浓度要高一些,以在载网周围能看到一圈黑的(如果样品是黑的)样品为宜。 4)    样品烘干:测试之前,需要在加热板、红外灯或烘箱中干燥,温度设定根据样品不同而不同,一般为100度左右就可以,石墨烯样品可以设到180度,烘烤时间1个小时以上。 5)    其它样品制样:用户可以使用FIB、电解双喷、手工等方法制备样品。

收费标准

1)    单原子样品只拍单原子像:3500元/样 2)    单原子样品只拍EDS mapping:3500元起/样 3)    单原子样品拍全套(单原子像+EDS mapping):5000元/样 4)    非磁性样品拍全套(原子像+EDS mapping):5000元/样 5)    磁性样品拍全套(原子像+EDS mapping):8000元/样 6)    需要测EELS的样品,8000元起/样,具体费用根据需求具体评估 7)    特别提醒:因球差电镜特殊要求,所有球差电镜样品均需在普通透射电镜上检测不积碳后方可测试。

测试仪器

    仪器名称: 球差校正透射电子显微镜     仪器型号: 日本电子JEM-ARM200F     关键字:球差、透射、电镜、TEM、STEM、Mappping 日本电子JEM-ARM200F为电子光学系统标准配备了一体化球差校正器,电气和机械性能的稳定性也达到极限水平, 使扫描透射像(STEM-HAADF)分辨率达到0.08nm, 成为商用透射电子显微镜中的世界之最。电子束在像差校正之后, 束流密度比传统的透射电子显微镜高出一个数量级。因为束流更亮更细、电流密度高, ARM200F能够在进行原子水平分析的同时, 还能缩短检测时间和提高样品处理能力。

技术参数

    2.1电源电压:         2.1.1主机::AC单相220V (± 10%),≥50A,50/60Hz         2.1.2球差校正器:AC单相100-240V,1500W,50/60Hz         2.1.3球差校正器用电脑:AC单相100-240V,250VA/200W,50/60Hz         2.1.4电源及频率稳定性:≤±5%         2.1.5冷却循环水:AC 380V (± 10%) 50Hz 三相         2.1.6地线:≤5欧姆以下独立地线     2.2 工作环境温度: 20±5℃,         温度的漂移小于等于 0.2℃/h         温度波动小于等于0.05 ℃/min     2.3 环境相对湿度: ≤60%     2.4 压力变化:≤ 1 Pa     2.5 空气流动: ≤100mm/秒     2.6 噪音:≤50-60dB     2.7 振动:≤0.2-0.4um     2.8 磁场:直流电流磁场波动:小于0.05T,交流电流磁场波动:小于0.05T 3、技术要求及参数     3.1 电子枪和加速电压         3.1.1 电子枪:肖特基热场发射电子枪*         3.1.2 加速电压:加速电压≥200kV,可实现加速电压连续可调并正常稳定工作。         3.1.3加速电压稳定度:≤ 1ppm/min(峰峰值)*         3.1.4物镜电流稳定度:≤ 0.5ppm/min(峰峰值)*     3.2 分辨率         3.2.1 点分辨率≤0.23nm;(样品台≥±35度角时,点分辨率≤0.23nm)*         3.2.2 线分辨率≤0.10nm*         3.2.3 STEM暗场分辨率≤0.08nm         3.3 最小束斑尺寸:£0.1nm         3.4 束流强度:0.2nm时0.5nA 或更高         3.5 物镜参数:         3.5.1球差系数: ≤ 1.0mm;         3.5.2色差系数: ≤ 1.4 mm         3.6 STEM修正参数:         3.6.1聚光镜球差系数:可调,±5um 或更好         3.7 会聚束电子衍射(CBED)         3.7.1 会聚角(2α):大于1.5-20 mrad         3.7.2 接受角: ±10°         3.7.3束流漂移:1nm/min 或更低     3.8 放大倍数:TEM: 50-2,000,000倍*;STEM magnification: ≥150,000,000*     3.9 真空系统     3.9.1 电子枪室:≤1 x 10-7Pa(数量级)     3.9.2 样品室: ≤2 x 10-5 Pa     3.10 样品杆         3.10.1 样品倾斜角度:双倾样品杆 X/Y ≥±25°;如果选择点分辨≤0.23nm时,样品杆倾斜角度 ≥±35°         3.10.2 样品移动范围: 2mm(X, Y); 0.2mm(Z)         3.10.5普通双倾样品台         3.10.5低背景信号,EDS分析用双倾样品台     3.11 扫描透射(STEM)         3.11.1 暗场分辨率:≤0.10 nm*         3.11.2 探头:BF(可进行ABF像观察),HAADF,探测器同时安装     3.12 控制和数据处理系统:Windows操作系统     3.13 能谱仪(EDS)的技术规格         3.13.1 SDD探测器         3.13.2 有效探测器面积:100平方毫米*         3.13.3 分辨率:优于129eV         3.13.4 分辨元素范围:B-U         3.13.5 包括专用的计算机和显示器         3.13.6 操作及数据处理模式:配备定性、定量数据处理软件及其它标准的用于EDS分析的必备软件         3.13.7 能够做点、线和面的定性及定量分析         3.13.8 可以与STEM配合进行Mapping的漂移校正         3.13.9 取出角: 1 str.(UHR极靴)         3.13.10探头保护阀门     3.14透射电镜用CCD相机     3.14.1 安装方式:底插CCD及软件     3.14.2分辨率:4k x 2.7k 即1100万像素     3.14.3耦合方式:光纤耦合     3.14.4动态范围:16位     3.14.5可伸缩式设计(可扩充GIF)

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